Análisis, modelado y simulación del ruido flicker en transistores MOS
Para entender las causas del ruido 1/f en transistores MOS se presentan las teorías que describen su origen físico, a saber, la teoría de McWhorter y la teoría de Hooge. De esa comprensión se revisan los modelos analíticos del ruido 1/f reportados en la literatura, los cuales intentan correlacionar...
Na minha lista:
| Publicado no: | Acta Universitaria |
|---|---|
| Principais autores: | , , |
| Formato: | Artigo |
| Idioma: | Espanhol |
| Publicado em: |
Universidad de Guanajuato
2013
|
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=41629559003 |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|