Análisis, modelado y simulación del ruido flicker en transistores MOS
Para entender las causas del ruido 1/f en transistores MOS se presentan las teorías que describen su origen físico, a saber, la teoría de McWhorter y la teoría de Hooge. De esa comprensión se revisan los modelos analíticos del ruido 1/f reportados en la literatura, los cuales intentan correlacionar...
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| Опубліковано в:: | Acta Universitaria |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Artigo |
| Мова: | Espanhol |
| Опубліковано: |
Universidad de Guanajuato
2013
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| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=41629559003 |
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