Análisis, modelado y simulación del ruido flicker en transistores MOS
Para entender las causas del ruido 1/f en transistores MOS se presentan las teorías que describen su origen físico, a saber, la teoría de McWhorter y la teoría de Hooge. De esa comprensión se revisan los modelos analíticos del ruido 1/f reportados en la literatura, los cuales intentan correlacionar...
Uloženo v:
| Vydáno v: | Acta Universitaria |
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| Hlavní autoři: | , , |
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Espanhol |
| Vydáno: |
Universidad de Guanajuato
2013
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| Témata: | |
| On-line přístup: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=41629559003 |
| Tagy: |
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