Structural and compositional analysis of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP Stranski–Krastanov quantum dots

We investigated metal-organic vapor phase epitaxy grown (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP Stranski–Krastanov quantum dots (QDs) with potential applications in QD-Flash memories by cross-sectional scanning tunneling microscopy (X-STM) and atom probe tomography (APT). The combination of X-STM and APT is a very po...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Light Sci Appl
Hlavní autoři: Gajjela, Raja S. R., Hendriks, Arthur L., Douglas, James O., Sala, Elisa M., Steindl, Petr, Klenovský, Petr, Bagot, Paul A. J., Moody, Michael P., Bimberg, Dieter, Koenraad, Paul M.
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: Nature Publishing Group UK 2021
Témata:
Article
On-line přístup:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC8203795/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/34127643
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41377-021-00564-z
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!

Podobné jednotky