Đang tải...
The marvelous optical performance of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with AlInGaN-based last quantum barrier and step electron blocking layer
The optoelectronic characteristics of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes (DUV LEDs) with quaternary last quantum barrier (QLQB) and step-graded electron blocking layer (EBL) are investigated numerically. The results show that the internal quantum efficiency (IQE) and radiative recomb...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Appl Phys A Mater Sci Process |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer Berlin Heidelberg
2021
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC8095219/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/33967404 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1007/s00339-021-04559-w |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|