Ładuje się......
Optimizing the plasma oxidation of aluminum gate electrodes for ultrathin gate oxides in organic transistors
A critical requirement for the application of organic thin-film transistors (TFTs) in mobile or wearable applications is low-voltage operation, which can be achieved by employing ultrathin, high-capacitance gate dielectrics. One option is a hybrid dielectric composed of a thin film of aluminum oxide...
Zapisane w:
| Wydane w: | Sci Rep |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Nature Publishing Group UK
2021
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7973517/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/33737629 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-021-85517-7 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|