تحميل...
Exceedingly High Performance Top-Gate P-Type SnO Thin Film Transistor with a Nanometer Scale Channel Layer
Implementing high-performance n- and p-type thin-film transistors (TFTs) for monolithic three-dimensional (3D) integrated circuit (IC) and low-DC-power display is crucial. To achieve these goals, a top-gate transistor is preferred to a conventional bottom-gate structure. However, achieving high-perf...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Nanomaterials (Basel) |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI
2021
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7823917/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/33401635 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/nano11010092 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|