Ładuje się......
Van der Waals Epitaxy of III-Nitrides and Its Applications
III-nitride semiconductors have wide bandgap and high carrier mobility, making them suitable candidates for light-emitting diodes (LEDs), laser diodes (LDs), high electron mobility transistors (HEMTs) and other optoelectronics. Compared with conventional epitaxy technique, van der Waals epitaxy (vdW...
Zapisane w:
| Wydane w: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
MDPI
2020
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7503271/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32878046 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma13173835 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|