טוען...
Van der Waals Epitaxy of III-Nitrides and Its Applications
III-nitride semiconductors have wide bandgap and high carrier mobility, making them suitable candidates for light-emitting diodes (LEDs), laser diodes (LDs), high electron mobility transistors (HEMTs) and other optoelectronics. Compared with conventional epitaxy technique, van der Waals epitaxy (vdW...
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , , |
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
MDPI
2020
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7503271/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32878046 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma13173835 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|