Načítá se...
Resistive Switching of GaAs Oxide Nanostructures
The paper presents the results of experimental studies of the influence of the local anodic oxidation control parameters on the geometric parameters of oxide nanoscale structures (ONS) and profiled nanoscale structures (PNS) on the surface of epitaxial structures of silicon doped gallium arsenide wi...
Uloženo v:
| Vydáno v: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , , , , , , |
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
MDPI
2020
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7476037/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32764373 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma13163451 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|