Đang tải...
Carrier mobility of silicon by sub-bandgap time-resolved terahertz spectroscopy
Low density charge mobility from below bandgap, two-photon photoexcitation of bulk silicon (Si) is interrogated using time-resolved terahertz spectroscopy (TRTS). Total charge mobility is measured as a function of excitation frequency and fluence (charge carrier density), cut angle, and innate dopin...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Opt Express |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
2020
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7473426/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32225955 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1364/OE.382840 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|