Đang tải...

Disorder by design: A data-driven approach to amorphous semiconductors without total-energy functionals

X-ray diffraction, Amorphous silicon, Multi-objective optimization, Monte Carlo methods. This paper addresses a difficult inverse problem that involves the reconstruction of a three-dimensional model of tetrahedral amorphous semiconductors via inversion of diffraction data. By posing the material-st...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Sci Rep
Những tác giả chính: Limbu, Dil K., Elliott, Stephen R., Atta-Fynn, Raymond, Biswas, Parthapratim
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Nature Publishing Group UK 2020
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7210951/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32385360
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-020-64327-3
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!