লোডিং...
High–temperature droplet epitaxy of symmetric GaAs/AlGaAs quantum dots
We introduce a high–temperature droplet epitaxy procedure, based on the control of the arsenization dynamics of nanoscale droplets of liquid Ga on GaAs(111)A surfaces. The use of high temperatures for the self-assembly of droplet epitaxy quantum dots solves major issues related to material defects,...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Sci Rep |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Nature Publishing Group UK
2020
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7162903/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32300114 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-020-62248-9 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|