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Structural and Electrical Comparison of Si and Zr Doped Hafnium Oxide Thin Films and Integrated FeFETs Utilizing Transmission Kikuchi Diffraction

The microstructure of ferroelectric hafnium oxide plays a vital role for its application, e.g., non-volatile memories. In this study, transmission Kikuchi diffraction and scanning transmission electron microscopy STEM techniques are used to compare the crystallographic phase and orientation of Si an...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Nanomaterials (Basel)
Hauptverfasser: Lederer, Maximilian, Kämpfe, Thomas, Vogel, Norman, Utess, Dirk, Volkmann, Beate, Ali, Tarek, Olivo, Ricardo, Müller, Johannes, Beyer, Sven, Trentzsch, Martin, Seidel, Konrad, Eng, Lukas M.
Format: Artigo
Sprache:Inglês
Veröffentlicht: MDPI 2020
Schlagworte:
Online Zugang:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7075299/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32098415
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/nano10020384
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