Đang tải...
Influence of Illumination on Porous Silicon Formed by Photo-Assisted Etching of p-Type Si with a Different Doping Level
The influence of illumination intensity and p-type silicon doping level on the dissolution rate of Si and total current by photo-assisted etching was studied. The impact of etching duration, illumination intensity, and wafer doping level on the etching process was investigated using scanning electro...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Micromachines (Basel) |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI
2020
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7074670/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32075147 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/mi11020199 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|