GaAs(1-x)Bi(x) growth on Ge: anti-phase domains, ordering, and exciton localization

The dilute bismide alloy GaAs(1-x)Bi(x) has drawn significant attention from researchers interested in its fundamental properties and the potential for infrared optoelectronics applications. To extend the study of bismides, molecular-beam heteroepitaxy of nominally 1.0 eV bandgap bismide on Ge subst...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Sci Rep
Hlavní autoři: Paulauskas, Tadas, Pačebutas, Vaidas, Geižutis, Andrejus, Stanionytė, Sandra, Dudutienė, Evelina, Skapas, Martynas, Naujokaitis, Arnas, Strazdienė, Viktorija, Čechavičius, Bronislovas, Čaplovičová, Mária, Vretenár, Viliam, Jakieła, Rafał, Krotkus, Arūnas
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: Nature Publishing Group UK 2020
Témata:
Article
On-line přístup:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC7005183/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/32029827
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-020-58812-y
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!

Podobné jednotky