Φορτώνει......
Study of Edge and Screw Dislocation Density in GaN/Al(2)O(3) Heterostructure
This study assesses the characteristics (edge and screw dislocation density) of a commercially available GaN/AlN/Al(2)O(3) wafer. The heterostructure was evaluated by means of high-resolution X-ray diffraction (HR-XRD), high-resolution transmission electron microscopy (HR-TEM), and Doppler-Broadenin...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Τόπος έκδοσης: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Κύριοι συγγραφείς: | , , , , , , , |
| Μορφή: | Artigo |
| Γλώσσα: | Inglês |
| Έκδοση: |
MDPI
2019
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6947610/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31847334 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma12244205 |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|