Ładuje się......
Study of Edge and Screw Dislocation Density in GaN/Al(2)O(3) Heterostructure
This study assesses the characteristics (edge and screw dislocation density) of a commercially available GaN/AlN/Al(2)O(3) wafer. The heterostructure was evaluated by means of high-resolution X-ray diffraction (HR-XRD), high-resolution transmission electron microscopy (HR-TEM), and Doppler-Broadenin...
Zapisane w:
| Wydane w: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
MDPI
2019
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6947610/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31847334 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma12244205 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|