Načítá se...
GaAs-Based InPBi Quantum Dots for High Efficiency Super-Luminescence Diodes
InPBi exhibits broad and strong photoluminescence at room temperature, and is a potential candidate for fabricating super-luminescence diodes applied in optical coherence tomography. In this paper, the strained InPBi quantum dot (QD) embedded in the AlGaAs barrier on a GaAs platform is proposed to e...
Uloženo v:
| Vydáno v: | Int J Mol Sci |
|---|---|
| Hlavní autoři: | , , |
| Médium: | Artigo |
| Jazyk: | Inglês |
| Vydáno: |
MDPI
2019
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6929012/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31795220 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ijms20236001 |
| Tagy: |
Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
|