GaAs epilayers grown on patterned (001) silicon substrates via suspended Ge layers

We demonstrate the growth of low density anti-phase boundaries, crack-free GaAs epilayers, by Molecular Beam Epitaxy on silicon (001) substrates. The method relies on the deposition of thick GaAs on a suspended Ge buffer realized on top of deeply patterned Si substrates by means of a three-temperatu...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Sci Rep
المؤلفون الرئيسيون: Ballabio, Andrea, Bietti, Sergio, Scaccabarozzi, Andrea, Esposito, Luca, Vichi, Stefano, Fedorov, Alexey, Vinattieri, Anna, Mannucci, Cosimo, Biccari, Francesco, Nemcsis, Akos, Toth, Lajos, Miglio, Leo, Gurioli, Massimo, Isella, Giovanni, Sanguinetti, Stefano
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: Nature Publishing Group UK 2019
الموضوعات:
Article
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6879494/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31772248
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-019-53949-x
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة