Загрузка...
High temperature AlInP X-ray spectrometers
Two custom-made Al(0.52)In(0.48)P p(+)-i-n(+) mesa photodiodes with different diameters (217 µm ± 15 µm and 409 µm ± 28 µm) and i layer thicknesses of 6 µm have been electrically characterised over the temperature range 0 °C to 100 °C. Each photodiode was then investigated as a high-temperature-tole...
Сохранить в:
| Опубликовано в: : | Sci Rep |
|---|---|
| Главные авторы: | , , , , |
| Формат: | Artigo |
| Язык: | Inglês |
| Опубликовано: |
Nature Publishing Group UK
2019
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6704186/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31434964 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-019-48394-9 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|