Загрузка...
InGaP electron spectrometer for high temperature environments
In this work, a 200 μm diameter InGaP (GaInP) p(+)-i-n(+) mesa photodiode was studied across the temperature range 100 °C to 20 °C for the development of a temperature-tolerant electron spectrometer. The depletion layer thickness of the InGaP device was 5 μm. The performance of the InGaP detector wa...
Сохранить в:
| Опубликовано в: : | Sci Rep |
|---|---|
| Главные авторы: | , , , , , |
| Формат: | Artigo |
| Язык: | Inglês |
| Опубликовано: |
Nature Publishing Group UK
2019
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6668469/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31366906 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-019-47531-8 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|