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High temperature AlInP X-ray spectrometers

Two custom-made Al(0.52)In(0.48)P p(+)-i-n(+) mesa photodiodes with different diameters (217 µm ± 15 µm and 409 µm ± 28 µm) and i layer thicknesses of 6 µm have been electrically characterised over the temperature range 0 °C to 100 °C. Each photodiode was then investigated as a high-temperature-tole...

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Detalhes bibliográficos
Publicado no:Sci Rep
Main Authors: Zhao, S., Butera, S., Lioliou, G., Krysa, A. B., Barnett, A. M.
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: Nature Publishing Group UK 2019
Assuntos:
Acesso em linha:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6704186/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31434964
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-019-48394-9
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