تحميل...
Novel High-Energy-Efficiency AlGaN/GaN HEMT with High Gate and Multi-Recessed Buffer
A novel AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) with a high gate and a multi-recessed buffer (HGMRB) for high-energy-efficiency applications is proposed, and the mechanism of the device is investigated using technology computer aided design (TCAD) Sentaurus and advanced design system (ADS...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Micromachines (Basel) |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI
2019
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6680630/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31269635 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/mi10070444 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|