Effect of Piezoresistive Behavior on Electron Emission from Individual Silicon Carbide Nanowire

The excellent properties of silicon carbide (SiC) make it widely applied in high-voltage, high-power, and high-temperature electronic devices. SiC nanowires combine the excellent physical properties of SiC material and the advantages of nanoscale structures, thus attracting significant attention fro...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Nanomaterials (Basel)
Hauptverfasser: Zhao, Peng, Zhang, Yu, Tang, Shuai, Zhan, Runze, She, Juncong, Chen, Jun, Xu, Ningsheng, Deng, Shaozhi
Format: Artigo
Sprache:Inglês
Veröffentlicht: MDPI 2019
Schlagworte:
Article
Online Zugang:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6669601/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31284558
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/nano9070981
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Ähnliche Einträge