Memristors Using Solution-Based IGZO Nanoparticles

[Image: see text] Solution-based indium–gallium–zinc oxide (IGZO) nanoparticles deposited by spin coating have been investigated as a resistive switching layer in metal–insulator–metal structures for nonvolatile memory applications. Optimized devices show a bipolar resistive switching behavior, low...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:ACS Omega
Main Authors: Rosa, Jose, Kiazadeh, Asal, Santos, Lídia, Deuermeier, Jonas, Martins, Rodrigo, Gomes, Henrique Leonel, Fortunato, Elvira
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: American Chemical Society 2017
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6644988/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31457375
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1021/acsomega.7b01167
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים