Recent Progress in the Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy Effect and the Challenges Faced in Developing Voltage-Torque MRAM

The electron spin degree of freedom can provide the functionality of “nonvolatility” in electronic devices. For example, magnetoresistive random access memory (MRAM) is expected as an ideal nonvolatile working memory, with high speed response, high write endurance, and good compatibility with comple...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Micromachines (Basel)
المؤلفون الرئيسيون: Nozaki, Takayuki, Yamamoto, Tatsuya, Miwa, Shinji, Tsujikawa, Masahito, Shirai, Masafumi, Yuasa, Shinji, Suzuki, Yoshishige
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: MDPI 2019
الموضوعات:
Review
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6562605/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/31096668
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/mi10050327
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة