טוען...

Carrier Redistribution Between Two Kinds of Localized States in the InGaN/GaN Quantum Wells Studied by Photoluminescence

The InGaN/GaN multi-quantum wells (MQWs) are prepared at the same condition by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) except the thickness of cap layers additionally grown on each InGaN well layer. The photoluminescence (PL) intensity of the thin cap layer sample is much stronger than that...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Nanoscale Res Lett
Main Authors: Xing, Yao, Zhao, Degang, Jiang, Desheng, Liu, Zongshun, Zhu, Jianjun, Chen, Ping, Yang, Jing, Liang, Feng, Liu, Shuangtao, Zhang, Liqun
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Springer US 2019
נושאים:
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6419640/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30874975
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-019-2919-9
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!