Low-Temperature Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition of SiO(2) Using Carbon Dioxide

In this work, we report the successful growth of high-quality SiO(2) films by low-temperature plasma-enhanced atomic layer deposition using an oxidant which is compatible with moisture/oxygen sensitive materials. The SiO(2) films were grown at 90 °C using CO(2) and Bis(tertiary-butylamino)silane as...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Nanoscale Res Lett
Những tác giả chính: Zhu, Zhen, Sippola, Perttu, Ylivaara, Oili M. E., Modanese, Chiara, Di Sabatino, Marisa, Mizohata, Kenichiro, Merdes, Saoussen, Lipsanen, Harri, Savin, Hele
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Springer US 2019
Những chủ đề:
Nano Express
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6372707/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30747362
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-019-2889-y
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự