Ładuje się......
Remote Phonon Scattering in Two-Dimensional InSe FETs with High-κ Gate Stack
This work focuses on the effect of remote phonon arising from the substrate and high-κ gate dielectric on electron mobility in two-dimensional (2D) InSe field-effect transistors (FETs). The electrostatic characteristic under quantum confinement is derived by self-consistently solving the Poisson and...
Zapisane w:
| Wydane w: | Micromachines (Basel) |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
MDPI
2018
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6316064/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30572574 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/mi9120674 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|