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Isotropic Atomic Layer Etching of ZnO Using Acetylacetone and O(2) Plasma

[Image: see text] Atomic layer etching (ALE) provides Ångström-level control over material removal and holds potential for addressing the challenges in nanomanufacturing faced by conventional etching techniques. Recent research has led to the development of two main classes of ALE: ion-driven plasma...

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Detalhes bibliográficos
Publicado no:ACS Appl Mater Interfaces
Main Authors: Mameli, A., Verheijen, M. A., Mackus, A. J. M., Kessels, W. M. M., Roozeboom, F.
Formato: Artigo
Idioma:Inglês
Publicado em: American Chemical Society 2018
Acesso em linha:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6225338/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30286289
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1021/acsami.8b12767
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