Φορτώνει......
Vertical-type two-dimensional hole gas diamond metal oxide semiconductor field-effect transistors
Power semiconductor devices require low on-resistivity and high breakdown voltages simultaneously. Vertical-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) meet these requirements, but have been incompleteness in diamond. Here we show vertical-type p-channel diamond MOSFETs with tr...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Τόπος έκδοσης: | Sci Rep |
|---|---|
| Κύριοι συγγραφείς: | , , , , , , , |
| Μορφή: | Artigo |
| Γλώσσα: | Inglês |
| Έκδοση: |
Nature Publishing Group UK
2018
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6045668/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30006560 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-018-28837-5 |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|