Загрузка...
Vertical-type two-dimensional hole gas diamond metal oxide semiconductor field-effect transistors
Power semiconductor devices require low on-resistivity and high breakdown voltages simultaneously. Vertical-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) meet these requirements, but have been incompleteness in diamond. Here we show vertical-type p-channel diamond MOSFETs with tr...
Сохранить в:
| Опубликовано в: : | Sci Rep |
|---|---|
| Главные авторы: | , , , , , , , |
| Формат: | Artigo |
| Язык: | Inglês |
| Опубликовано: |
Nature Publishing Group UK
2018
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC6045668/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/30006560 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-018-28837-5 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|