Đang tải...
Two-Dimensional MX2 Semiconductors for Sub-5 nm Junctionless Field Effect Transistors
Two-dimensional transitional metal dichalcogenide (TMDC) field-effect transistors (FETs) are proposed to be promising for devices scaling beyond silicon-based devices. We explore the different effective mass and bandgap of the channel materials and figure out the possible candidates for high-perform...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
MDPI
2018
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5873009/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29543770 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma11030430 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|