Đang tải...
Controlling bottom-up rapid growth of single crystalline gallium nitride nanowires on silicon
We report single crystalline gallium nitride nanowire growth from Ni and Ni-Au catalysts on silicon using hydride vapor phase epitaxy. The growth takes place rapidly; efficiency in time is higher than the conventional nanowire growth in metal-organic chemical vapor deposition and thin film growth in...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Sci Rep |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group UK
2017
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5738410/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29263368 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-17980-0 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|