Загрузка...
Structural, Electrical, Magnetic and Resistive Switching Properties of the Multiferroic/Ferroelectric Bilayer Thin Films
Bi(0.8)Pr(0.2)Fe(0.95)Mn(0.05)O(3)/Bi(3.96)Gd(0.04)Ti(2.95)W(0.05)O(12) (BPFMO/BGTWO) bilayer thin films with Multiferroic/Ferroelectric (MF/FE) structures were deposited onto Pt(111)/Ti/SiO(2)/Si(100) substrates by using the sol-gel method with rapid thermal annealing. The BPFMO/BGTWO thin films ex...
Сохранить в:
| Опубликовано в: : | Materials (Basel) |
|---|---|
| Главные авторы: | , , , , , |
| Формат: | Artigo |
| Язык: | Inglês |
| Опубликовано: |
MDPI
2017
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5706274/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29156636 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma10111327 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|