تحميل...
Optical switching of defect charge states in 4H-SiC
We demonstrate optically induced switching between bright and dark charged divacancy defects in 4H-SiC. Photoluminescence excitation and time-resolved photoluminescence measurements reveal the excitation conditions for such charge conversion. For an energy below 1.3 eV (above 950 nm), the PL is supp...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Sci Rep |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Nature Publishing Group UK
2017
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5645325/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29042675 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-13813-2 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|