Đang tải...
Large Lateral Photovoltaic Effect in MoS(2)/GaAs Heterojunction
Molybdenum disulfide (MoS(2)) nanoscaled films are deposited on GaAs substrates via magnetron sputtering technique, and MoS(2)/GaAs heterojunctions are fabricated. The lateral photovoltaic effect (LPE) of the fabricated MoS(2)/GaAs heterojunctions is investigated. The results show that a large LPE c...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer US
2017
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5635143/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29019043 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-017-2334-z |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|