تحميل...
Large Lateral Photovoltaic Effect in MoS(2)/GaAs Heterojunction
Molybdenum disulfide (MoS(2)) nanoscaled films are deposited on GaAs substrates via magnetron sputtering technique, and MoS(2)/GaAs heterojunctions are fabricated. The lateral photovoltaic effect (LPE) of the fabricated MoS(2)/GaAs heterojunctions is investigated. The results show that a large LPE c...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Springer US
2017
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5635143/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/29019043 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-017-2334-z |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|