Đang tải...
Three-dimensional crossbar arrays of self-rectifying Si/SiO(2)/Si memristors
Memristors are promising building blocks for the next-generation memory and neuromorphic computing systems. Most memristors use materials that are incompatible with the silicon dominant complementary metal-oxide-semiconductor technology, and require external selectors in order for large memristor ar...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Nat Commun |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group
2017
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5465358/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28580928 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/ncomms15666 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|