تحميل...
Origin of the Electroluminescence from Annealed-ZnO/GaN Heterojunction Light-Emitting Diodes
This paper addressed the effect of post-annealed treatment on the electroluminescence (EL) of an n-ZnO/p-GaN heterojunction light-emitting diode (LED). The bluish light emitted from the 450 °C-annealed LED became reddish as the LED annealed at a temperature of 800 °C under vacuum atmosphere. The ori...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Materials (Basel) |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
MDPI
2015
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5458876/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28793675 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma8115417 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|