تحميل...
Compliance-Free ZrO(2)/ZrO(2 − x)/ZrO(2) Resistive Memory with Controllable Interfacial Multistate Switching Behaviour
A controllable transformation from interfacial to filamentary switching mode is presented on a ZrO(2)/ZrO(2 − x)/ZrO(2) tri-layer resistive memory. The two switching modes are investigated with possible switching and transformation mechanisms proposed. Resistivity modulation of the ZrO(2 − x) layer...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Springer US
2017
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5457368/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28582965 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-017-2155-0 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|