טוען...
Low-Temperature Solution-Processed Gate Dielectrics for High-Performance Organic Thin Film Transistors
A low-temperature solution-processed high-k gate dielectric layer for use in a high-performance solution-processed semiconducting polymer organic thin-film transistor (OTFT) was demonstrated. Photochemical activation of sol-gel-derived AlO(x) films under 150 °C permitted the formation of a dense fil...
שמור ב:
| הוצא לאור ב: | Materials (Basel) |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , |
| פורמט: | Artigo |
| שפה: | Inglês |
| יצא לאור: |
MDPI
2015
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5455382/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28793608 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma8105352 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|