Ładuje się......

Low-Temperature Solution-Processed Gate Dielectrics for High-Performance Organic Thin Film Transistors

A low-temperature solution-processed high-k gate dielectric layer for use in a high-performance solution-processed semiconducting polymer organic thin-film transistor (OTFT) was demonstrated. Photochemical activation of sol-gel-derived AlO(x) films under 150 °C permitted the formation of a dense fil...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Wydane w:Materials (Basel)
Główni autorzy: Kim, Jaekyun, Park, Chang Jun, Yi, Gyeongmin, Choi, Myung-Seok, Park, Sung Kyu
Format: Artigo
Język:Inglês
Wydane: MDPI 2015
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5455382/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28793608
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.3390/ma8105352
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!