Đang tải...
Modulation of van der Waals and classical epitaxy induced by strain at the Si step edges in GeSbTe alloys
The present work displays a route to design strain gradients at the interface between substrate and van der Waals bonded materials. The latter are expected to grow decoupled from the substrates and fully relaxed and thus, by definition, incompatible with conventional strain engineering. By the usage...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Sci Rep |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group UK
2017
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5431103/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28469258 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/s41598-017-01502-z |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|