Bi-layer Channel AZO/ZnO Thin Film Transistors Fabricated by Atomic Layer Deposition Technique

This letter demonstrates bi-layer channel Al-doped ZnO/ZnO thin film transistors (AZO/ZnO TFTs) via atomic layer deposition process at a relatively low temperature. The effects of annealing in oxygen atmosphere at different temperatures have also been investigated. The ALD bi-layer channel AZO/ZnO T...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Nanoscale Res Lett
Hlavní autoři: Li, Huijin, Han, Dedong, Liu, Liqiao, Dong, Junchen, Cui, Guodong, Zhang, Shengdong, Zhang, Xing, Wang, Yi
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: Springer US 2017
Témata:
Nano Express
On-line přístup:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5366990/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28347129
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-017-1999-7
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!

Podobné jednotky