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Photoluminescence quantum efficiency of Er optical centers in GaN epilayers

We report the quantum efficiency of photoluminescence processes of Er optical centers as well as the thermal quenching mechanism in GaN epilayers prepared by metal-organic chemical vapor deposition. High resolution infrared spectroscopy and temperature dependence measurements of photoluminescence in...

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Pubblicato in:Sci Rep
Autori principali: Ho, V. X., Dao, T. V., Jiang, H. X., Lin, J. Y., Zavada, J. M., McGill, S. A., Vinh, N. Q.
Natura: Artigo
Lingua:Inglês
Pubblicazione: Nature Publishing Group 2017
Soggetti:
Accesso online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5215594/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/28054672
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep39997
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