A study of the optical and polarisation properties of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on a-plane and m-plane GaN substrates

We report on a comparative study of the low temperature emission and polarisation properties of InGaN/GaN quantum wells grown on nonpolar ([Image: see text] ) a-plane and ([Image: see text] ) m-plane free-standing bulk GaN substrates where the In content varied from 0.14 to 0.28 in the m-plane serie...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Sci Technol Adv Mater
Những tác giả chính: Kundys, Dmytro, Sutherland, Danny, Davies, Matthew J., Oehler, Fabrice, Griffiths, James, Dawson, Philip, Kappers, Menno J., Humphreys, Colin J., Schulz, Stefan, Tang, Fengzai, Oliver, Rachel A.
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Taylor & Francis 2016
Những chủ đề:
Optical, Magnetic and Electronic Device Materials
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5127259/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27933113
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1080/14686996.2016.1244474
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự