Đang tải...
Present status of amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors
The present status and recent research results on amorphous oxide semiconductors (AOSs) and their thin-film transistors (TFTs) are reviewed. AOSs represented by amorphous In–Ga–Zn–O (a-IGZO) are expected to be the channel material of TFTs in next-generation flat-panel displays because a-IGZO TFTs sa...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Sci Technol Adv Mater |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Taylor & Francis
2010
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5090337/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27877346 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1088/1468-6996/11/4/044305 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|