Đang tải...

Present status of amorphous In–Ga–Zn–O thin-film transistors

The present status and recent research results on amorphous oxide semiconductors (AOSs) and their thin-film transistors (TFTs) are reviewed. AOSs represented by amorphous In–Ga–Zn–O (a-IGZO) are expected to be the channel material of TFTs in next-generation flat-panel displays because a-IGZO TFTs sa...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Sci Technol Adv Mater
Những tác giả chính: Kamiya, Toshio, Nomura, Kenji, Hosono, Hideo
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Taylor & Francis 2010
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC5090337/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27877346
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1088/1468-6996/11/4/044305
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!