Đang tải...
Synthesis and Characterization of Hexagonal Boron Nitride as a Gate Dielectric
Two different growth modes of large-area hexagonal boron nitride (h-BN) film, a conventional chemical vapor deposition (CVD) growth mode and a high-pressure CVD growth mode, were compared as a function of the precursor partial pressure. Conventional self-limited CVD growth was obtained below a criti...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Sci Rep |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group
2016
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4960585/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27458024 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep30449 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|