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Multiple-stable anisotropic magnetoresistance memory in antiferromagnetic MnTe

Commercial magnetic memories rely on the bistability of ordered spins in ferromagnetic materials. Recently, experimental bistable memories have been realized using fully compensated antiferromagnetic metals. Here we demonstrate a multiple-stable memory device in epitaxial MnTe, an antiferromagnetic...

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書誌詳細
出版年:Nat Commun
主要な著者: Kriegner, D., Výborný, K., Olejník, K., Reichlová, H., Novák, V., Marti, X., Gazquez, J., Saidl, V., Němec, P., Volobuev, V. V., Springholz, G., Holý, V., Jungwirth, T.
フォーマット: Artigo
言語:Inglês
出版事項: Nature Publishing Group 2016
主題:
オンライン・アクセス:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4906165/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27279433
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/ncomms11623
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